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由于大量热钱进入市场，也促成不少GaN新进业者冒出头来抢市，包含位于比利时Hasselt的磊晶业者——EpiGaN，以及位于加拿大渥太华的无晶圆厂（Fabless）业者——GaNSystems等；另外，设立于美国加州圣荷西的整合电路与组件供货商——英特尔（PowerIntegrations）也透过购并GaN半导体商——Velox，积极切入市场。
不仅如此，英飞凌（Infineon）亦从艾司强（Aixtron）采购有机金属化学气相沉积（MOCVD）设备，进一步将GaN半导体材料沉积在硅基板上，成功跨足该领域；而韩国乐金（LG）也采用相似手法展开布局。
另外，三星（Samsung）也在尝试研发硅基GaN为主的功率半导体；日本三肯（Sanken）也预计在2012年底～2013年，与Panasonic及古河（Furukawa）等大厂连手量产GaN组件。其他计划进入GaN开发的业者还包括荷兰的NXP（NXP）半导体，以及总部位于瑞士日内瓦的意法半导体（ST）。
一般来说，发展与测试一种新半导体材料的时间相当长，但随着世界各地大厂纷纷投入，很有可能在未来2～3年内就大量出现商用化的GaN产品。
硅基GaN磊晶目前单位价格跟往后在市场上的预估价格相比，便显得相当昂贵。
虽业界均看好GaN组件可提升电源转换效率，但仍面临诸多生产挑战。目前最关键的变量在于如何降低量产成本，也就是如何改善现有的6吋晶圆技术或直接跳到8吋举例来说，IR正全力进行更完善的生产设备整合；而意法半导体或NXP则藉由购买磊晶Epitaxy，并以惯用的互补式金属氧化物半导体（CMOS）制程生产，不须自行制作磊晶。此即回到营运模式与企业定位的问题，将反映成本结构上的差异，但目前很难进行比较。 |
